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MOSFET IRF640 (Vishay)

IRF640 (Vishay)

芯片信息

型号 封装 在线定购
IRF640（查看） TO-220
IRF640L（查看） TO-262
IRF640S（查看） TO-263

引脚布局

（点击图片看大图）
技术资料—— IRF640 (Vishay) PDF技术资料

IRF640 概述


　　IRF640属于Vishay的第三代Power MOSFETs。IRF640为设计者提供了转换快速、坚固耐用、低导通阻抗和高效益的强力组合。
　　TO-220封装的IRF640普遍适用于功耗在50W左右的工商业应用，低热阻和低成本的TO-220封装，使IRF640得到业内的普遍认可。D2PAK封装的IRF640适用于贴片安装，比起现有的任何其他贴片封装，可说是功率最高，导通阻抗最低。IRF640的D2PAK封装可适应高强度电流的应用。IRF640的TO-262则适用于低端通孔安装。
IRF640 参数
IRF640 基本参数
VDS   200 V
ID @25℃   18 A
RDS(on)   0.18 mΩ
IRF640 其他特性
FET极性   N型沟道
Qg (Max.)(nC)   70 nC
IRF640 封装与引脚
TO-220, TO-263, TO-262

IRF640 特性

  • 贴片安装 - IRF640S
  • 可选卷带包装 - IRF640S
  • 低端通孔安装 - IRF640L
  • 动态dv/dt率
  • 150℃工作温度 - IRF640S、IRF640L
  • 快速转换速率
  • 可恢复性雪崩测定
  • 并行简易
  • 仅需简单驱动
  • 无铅环保